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比利時umicore高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。
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2025-08-11
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umicore高純鍺晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。
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比利時umicore13N高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。
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比利時優(yōu)美科13N高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。
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8inch英寸鍺片 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。
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8英寸鍺片 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。
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