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半導體（高純鍺和Si（Li））探測器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測量技術與產品，不僅是核結構、分子物理、原子碰撞等核物理與核反應研究的重要工具

精密脈沖發(fā)生器 輸出脈沖幅度0-±1V可調，上升時間前面板選擇，下降時間常數(shù)（指數(shù)衰減時間）200µs或400µs 溫度穩(wěn)定性：≤±0.005%/℃（0-50℃） 脈沖重復速率：交流電源頻率或70±10Hz（使用內部振蕩器） 內部振蕩器溫度穩(wěn)定性：≤±0.05%/℃（0-50℃）

多道分析儀? 獨立結構 具有GATE, BUSY , PUR輸入 ADC死時間（包括內存轉換時間）2µs 微分非線性：≤±1% 積分非線性：≤±0.025% 增益穩(wěn)定性：≤±50ppm/℃ 死時間校正邏輯輸入（Gedcke-Hale方法） USB接口（大傳輸速度

雙端口多道存儲器 大分辨率：8192道，軟件選擇 8192, 4096, 2048, 1024或512道 每事件死時間（包括內存轉換時間）8µs 微分非線性：≤±1% 積分非線性：≤±0.025% 增益穩(wěn)定性：≤±50ppm/℃ 每道大計數(shù)：232-1

NIM機箱160W電源 輸出電源/大電流 ±12V/2A，±24V/1A，117VAC/0.4A 短路和過載保護 輸出阻抗：0.3?（頻率100kHz） 輸入電壓：100-240VAC，47-63Hz 噪聲和波紋：3mV（50MHZ示波器） 溫度穩(wěn)定性：≤0.01%/℃（0~60℃）

0RTEC556電源高壓? 探測器偏壓電源，用于鍺或硅探測器 輸出電壓：0-±5kV 0-±500V（雙路輸出） 電流0-100µA 輸出電壓上升時間：500ms 噪聲和波紋：10mV（5HZ~50MHZ） 溫度穩(wěn)定性：≤±0.08%/℃（10~50℃） 長期穩(wěn)定性：±0.1%/h 過載保護